背景

        随着NAND Flash技术发展，存储厂商通过降低存储单元的大小、采用多阶存储技术（比如MLC、TLC、QLC）或者使用三维堆叠技术，来提高存储密度的目的。但是此举也会带来可靠性问题，比如降低存储单元的大小会导致存储单元中存储的电子数量的减少；多阶存储技术会导致存储单元中代表不同信息的电压区间缩小而影响NAND Flash的可靠性。

        在NAND Flash的众多特性里，其中读干扰（Read Disturb）表现为如果对NAND闪存中某个位置进行多次读取，会对同一个块中其它未操作的页造成干扰（数据误码率会越来越高），这种特性的影响程度和读取次数、NAND闪存的架构、块的擦除写入次数、是否满块编程等密切相关，如果不及时处理，会导致误码率超过纠错引擎的范围引发数据丢失。

        当前业内一般的做法是记录块的读取次数，当达到阈值时就把对应块上面的数据进行搬移，即读回收（Read Reclaim）的操作。然而，在读密集的应用上，读干扰可能会触发大量的数据搬移，提高写放大，且影响前端的响应速度。